Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC. — TPL COMMUNICATIONS | Video Confianza | Video Confianza

Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

TPL COMMUNICATIONS · B2-189

Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

Garantía: 3 años

Sin stock

$6,805.65

$4,355.61

IVA incluido · T/C: $17.43 MXN/USD

Cotizar por WhatsApp

Ver ficha técnica completa →

Características

✓Transistor dual MOSFET N-canal hasta 175 MHz
✓Alta ganancia 14.5 dB a 12.5 V
✓Eficiencia 55% con disipación 165 W
✓Impedancia entrada 4.1 + j0.5 @ 135 MHz
✓Resistencia térmica 0.75°C/W para operación a 200°C
✓Soporta VSWR 20:1 con protección sobrecalentamiento

Descripción

Características Principales

Transistor dual Q1 (MRF-1550NFT1)
Para amplificador TPL PA31AC
MOSFET de canal N, modo de enriquecimiento lateral
Diseñado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
Alta ganancia y estabilidad térmica
Paquete plástico capaz de 200°C
Terminales libres de plomo, cumplen con RoHS

Especificaciones RF

Frecuencia máxima: 175 MHz
Potencia de salida: 50 W
Tensión de alimentación: 12.5 V
Ganancia de potencia: 14.5 dB
Eficiencia: 55%
Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz
Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz

Especificaciones Eléctricas

Tensión drenaje-fuente: -0.5 a +40 Vdc
Tensión compuerta-fuente: ±20 Vdc
Corriente de drenaje: 12 Adc
Disipación total: 165 W @ 25°C
Resistencia térmica: 0.75°C/W
Temperatura de unión: 200°C
Temperatura de almacenamiento: -65 a +150°C

Características de RF

Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
Capacitancia de transferencia (Crss): 35 pF
Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω
Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω

Características de Polarización

Voltaje umbral (VGS(th)): 1 a 3 Vdc
Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.5 Ω
Voltaje drenaje-fuente (VDS(on)): 1 Vdc
Corriente de polarización (IDQ): 500 mA
Tensión de polarización: 12.5 Vdc

Características Térmicas

Resistencia térmica (RθJC): 0.75°C/W
Disipación total: 165 W @ 25°C
Derating: 0.50 W/°C sobre 25°C
Temperatura de unión: 200°C
Temperatura de almacenamiento: -65 a +150°C

Características de Aplicación

Impedancia de entrada: 10 Ω
Frecuencia: 175 MHz
Red de coincidencia: Paralelo resistor y capacitor en la compuerta
Temperatura de operación: 25°C
Corriente de polarización: 500 mA

Aplicaciones

Amplificadores de potencia RF
Equipos móviles de 12.5 V
Sistemas de comunicación comercial e industrial
Sistemas de FM móviles
Diseños de banda ancha (135-175 MHz)
Sistemas de comunicación de alta confiabilidad

Características de Diseño

Paquete de montaje superficial
Diseñado para montaje automático
Red de coincidencia de entrada/salida
Capacitancia de entrada incluida
Redes de polarización simples
Compatibilidad con técnicas de montaje SMT

Información de Manejo

Sensibilidad a descargas electrostáticas
Requiere precauciones en manejo y empaque
Nivel de sensibilidad húmedad: Clase 3
Temperatura máxima de pico de reflujo: 260°C
Compatibilidad con proceso de reflujo
Requiere disipación térmica adecuada

Características de Fiabilidad

Vida útil calculada (MTTF) en horas x A²
Correlación de pruebas a alta temperatura ±10%
Factor de vida útil vs temperatura de unión
Diseñado para operación a 200°C
Factor de MTTF disminuye con el cuadrado de la corriente

Parámetros S (12.5 Vdc, 500 mA)

@ 50 MHz: |S11| = 0.93, |S21| = 4.817, |S12| = 0.009, |S22| = 0.86
@ 100 MHz: |S11| = 0.94, |S21| = 2.212, |S12| = 0.009, |S22| = 0.88
@ 150 MHz: |S11| = 0.95, |S21| = 1.349, |S12| = 0.008, |S22| = 0.90
@ 200 MHz: |S11| = 0.95, |S21| = 0.892, |S12| = 0.006, |S22| = 0.92
@ 250 MHz: |S11| = 0.96, |S21| = 0.648, |S12| = 0.005, |S22| = 0.93

Parámetros S (continuación)

@ 300 MHz: |S11| = 0.97, |S21| = 0.481, |S12| = 0.004, |S22| = 0.95
@ 350 MHz: |S11| = 0.97, |S21| = 0.370, |S12| = 0.005, |S22| = 0.95
@ 400 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.304, |S12| = 0.001, |S22| = 0.97
@ 450 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.245, |S12| = 0.005, |S22| = 0.97
@ 500 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.209, |S12| = 0.003, |S22| = 0.97

Características de Diseño de Amplificador

Redes de coincidencia similares a transistores bipolares
Resistencia térmica mejorada para disipación
Diseño para aplicaciones de VHF y UHF
Red de polarización con divisor de tensión
Compensación de capacitancias parásitas
Red de protección de compuerta

Características de Protección

Soporta VSWR de 20:1
Protección contra sobretemperatura
Compensación de corriente de fuga
Red de protección externa recomendada
Diseño robusto para cargas mal acopladas