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Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

TPL COMMUNICATIONS · B2114

Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

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Características

✓Tecnología MOSFET de canal N lateral
✓Potencia de salida 70 W a 470 MHz
✓Eficiencia del 60% con VDD de 12.5 VDC
✓Capacidad VSWR de 20:1 para alta robustez
✓Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
✓Ganancia de 11.5 dB en banda 135-520 MHz

Descripción

Características Principales

Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz
Potencia de salida: 70 Watts
Tensión de alimentación: 12.5 Vdc
Ganancia: 11.5 dB
Eficiencia: 60%
Tecnología: MOSFET de canal N lateral
Capacidad para manejar VSWR de 20:1
Paquete plástico capaz de 200°C
Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)

Aplicaciones

Equipos de comunicación móvil FM
Amplificadores de señal RF
Equipos industriales y comerciales
Sistemas de radiofrecuencia

Características de Diseño

Estabilidad térmica excelente
Parámetros de impedancia equivalente en serie
Disponibilidad de información del amplificador de demostración
Paquete plástico TO-272-8
Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)

Ratings Máximos

Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc
Voltage G-S: ±20 Vdc
Disipación: 165 W @ 25°C
Derating: 0.5 W/°C sobre 25°C
T. Almacenamiento: -65 a +150 °C
T. Unión: 200 °C

Características Térmicas

RθJC: 0.29 °C/W

Protección ESD

Modelo Humano: Clase 1 (Mínimo)
Modelo Máquina: M2 (Mínimo)
Modelo Carga Dispositivo: C2 (Mínimo)

Sensibilidad a la Humedad

Estándar: JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
Nivel: 3
Temperatura pico: 260 °C

Características OFF

IDSS: Máx 1 μA (VDS = 60 Vdc, VGS = 0 Vdc)

Características ON

VGS(th): 1 a 3 Vdc (VDS = 12.5 Vdc, ID = 0.8 mAdc)
VDS(on): Máx 1 Vdc (VGS = 10 Vdc, ID = 2.0 Adc)

Características Dinámicas

Ciss: Máx 500 pF
Coss: Máx 250 pF
Crss: Máx 35 pF

Características RF

Ganancia: 11.5 dB
Eficiencia: 60%

Frecuencias de Operación

135-175 MHz
400-470 MHz
450-520 MHz

Configuración del Amplificador

Amplificador de fuente común
Polarización de compuerta y drenaje
Redes de entrada/salida con microstrip
Componentes pasivos de RF

Condiciones de Prueba

VDD = 12.5 Vdc
IDQ = 800 mA
Frecuencia de prueba: 470 MHz
Pout = 70 W
Pin = 36-38 dBm

Componentes de Prueba

Condensadores de chip de 100 mil
Inductores de 1 a 2 vueltas
Resistencias de chip (1206)
Beads de ferrita
Microstrip de diferentes dimensiones
Condensadores electrolíticos

Condiciones Ambientales

Temperatura de prueba: 25°C
Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
Temperatura de operación: Hasta 200 °C